第八百七十九章 ：S級項目！
超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡對月岩的檢測結果已經繪製成數據表和圖片。
連接上彩色打印機和圖像打印設備，負責進行實驗的王杭迅速將相關的數據圖表打印了出來。
“徐院士，趙所，場發射掃描電子顯微鏡的分析結果已經出來了。”
從對方手中接過實驗數據，徐川迅速翻閱了起來。
相對比常規的掃描電子顯微鏡來說，超高分辨率的場發射掃描電子顯微鏡雖然耗費的時間要長很多。
但是它能看到的東西也會多很多。
尤其是星海研究院中的設備都是採用最新數字化圖像處理技術，提供高倍數、高分辨掃描圖像的最新一級的設備，價值不菲的同時也能帶來更多對材料本身的觀測。
對瑤池環形山月岩的掃描，從大體上來說，和普通的電子顯微鏡觀測到的情況差不多太多。
但細節方面卻是天差地別。
比如在普通的掃描電鏡的SEd圖中可以直觀顯示碳納米管的粗細，以及碳納米管之間的交織狀態。
但是在場發射掃描電子顯微鏡StEm圖中，可以看到隱藏在3d結構中的小顆粒結構。
這些顆粒結構在傳統掃描電子顯微鏡的實驗中是無法看到的。
此外，場發射掃描電子顯微鏡還有獨特的明場像bF，暗場像dF，以及高角度環形暗場像hAAdF模式等等。
這些圖像具有不同的成像優勢，可以根據樣品情況搭配使用，成像結果進行互相驗證。
而在這塊瑤池環形山月岩的高角度環形暗場像hAAdF上，徐川就發現了一些特別的地方。
“有點意思，hAAdF成像上這些碳納米管的二次電子的軌跡和強度對比明暗場成像有着明顯光暗區別。”
嘴裏唸叨了一句，他的目光落在了手中一張圖紙上，眼神中帶着些許思忖的光彩。
放到了x倍的圖像上，規則整齊的碳納米管道呈現出來的光亮度有着明顯的區別。
hAAdF成像上的能量反應和成分襯度、形貌襯度這些數據都有一些明顯的變化。
一旁，趙光貴微蹙着眉頭，開口道：“這不應該，hAAdF成像與bF、dF成像理論上來說不會出現如此大襯度和能量反應差。”
雖然說三種成像方式各有差別，形成的圖像也會有着差別，但能量和襯度會差距這麼大的，很罕見。
徐川笑了笑，道：“沒什麼不可能的，如果說這些碳納米管道與底層襯底形成了摻雜，產生了類似於集成芯片中半導體門的結構，這些差異是可以說得通的。”
聞言，趙光貴一臉驚詫的看了過來，忍不住詢問道：“您是說這些試樣表面若存在電位分佈的差異，比如類似半導體的p-N結、加偏壓的集成電路等機構，其局部電位的差異影響到了二次電子的軌跡和強度。”
徐川點了點頭，道：“嗯，目前來說這個猜測最有可能解釋這種能量與襯度差距。”
“嘶~”
趙光貴倒吸了口涼氣，驚訝的說道：“如果是這樣，這極有可能是一塊天然的碳納米管集成板？”
盯着手中的實驗數據報告文件，徐川思忖着開口道：“不否認這種可能性，不過它是天然碳納米管集成電路板的可能性在我看來還是很低的。”
“嗯？”
聞言，趙光貴和實驗室中的其他兩名研究員都投來了詫異疑惑的目光。
按照hAAdF成像上的數據來看，這是非常明顯的電位襯度差距，而一般來說這種差異通常只會出現在半導體上。
因爲半導體具有局部電位差，在正電位區域，二次電子好像被拉住不易逸出，因此在這些區域，二次電子產額較少，圖像上顯得較暗；
相反，在負電位區域，二次電子易被推出，產額較高，在圖像上顯得較亮，這就是電位襯度。
一般來說，剖析其他國家的半導體設備，比如芯片，就是通過電位襯度來研究的。
看着手中的實驗報告，徐川思忖了一下，開口解釋道：“雖然說從掃描圖像上來看，在施加偏壓的時候在一定程度上具備了半導體性質襯底。”
“但它和碳基集成管的差距還是很大的，站在材料學的角度上來推測，我個人更傾向於它是受到外力的影響，而摻雜了一些其他的材料，導致出現了電阻差異。”
“看第三張圖，就可以明顯的發現第三列的碳納米管出現了不同的分子亮度。”
微微頓了頓，他接着道：“不過這個方向可以研究一下，看看它被摻雜元素是什麼，借鑑一下還是很不錯的。”
趙光貴的眼眸動了動，盯着手裏的實驗數據開口道：“你是說碳半導體的摻雜研究？”
徐川點了點頭，嘴角帶着笑意道：“嗯，碳和硅性質雖然類似但還是有很大的區別的。”
“碳是導體，硅本身就是半導體，所以要完美的對其進行摻雜，將其轉變成穩定的碳半導體也是一件很困難的工作。”
“但現在，月球給我們指明瞭一個方向。”
“這份材料中的碳納米管雖然並不是碳晶體管集成，但卻帶着其他元素的摻雜。”
“檢測一下參與進這些碳納米管中的元素到底是什麼，然後通過高純度的碳材料復刻一下，看看各方面的性能如何。”
“或許它還能幫助我們解決碳基芯片的另一個難題也說不定。”
趙光貴點點頭，道：“我這就安排人做這方面的實驗！”
從天然的材料或者說大自然中的生物上獲取到研究思路和靈感並不是一件很稀缺的事情。
比如壁虎與機械手爪、鯊魚皮與船舶塗層，泳衣、楓樹種子與無人機等等。
而眼前的這塊月岩，同樣可以給他們一些很不錯的啓發。
首先是整齊緊密有序排列的碳納米管，這是最重要的發現。
對於他們研究碳基芯片如何高效的集成碳晶體管有着極高的價值。
其次則是現在通過場發射掃描電子顯微鏡發現的微觀結構了。
這些存在於月岩中的碳納米管，具備明顯的摻雜現象。可能是外部溫度、壓力等條件變化而導致的。
這對於他們研究碳納米管如何製造出性能優秀的半導體開關同樣重要。
：https://www.zibq.cc。：https://m.zibq.cc