第五章 承上啓下的發現
“如果我沒能通過考試呢？”周新在電話裏反問道。
胡正明笑了笑：“只要你能夠證明郵件是伱本人寫的。
那麼我也會幫你搞定轉校和獎學金的事情。
只是說你需要來伯克利把本科沒有上完的課程補完。”
作爲半導體界教父級的人物，在伯克利呆了二十多年時間，想要幫學生搞定獎學金，用輕而易舉來形容毫不誇張。
胡正明很欣賞周新，不僅僅是因爲那封郵件，也是因爲對方在溝通中表現出來的坦誠，以及這口流利的英語。
甚至在一些語氣詞裏都和他一樣。
周新在阿美利肯期間，主要溝通對象之一就是胡正明，口語主要就是在阿美利肯那幾年突飛猛進的。
口語表達上二人當然會有相似之處。
周新在電話那頭笑了笑：“好。”
“MOSFET模型可以將Em與所有器件參數和偏置電壓相關聯，描述了它在解釋和指導熱電子縮放中的用途，你是如何想到通過電路仿真的預測性來對MOSFET進行互連建模？”
跨越數千公里的電話線，兩頭不僅僅是地理上的距離，更是時間上的距離。
周新發給胡正明的解答，是胡正明自己在2000年的論文，發表在2000年的IEEE集成電路會議論文集上，在胡正明超過九百篇論文裏被引用次數排名第八。
雖然排名不是很高，但是卻起到了承上啓下的作用。
胡正明最大的貢獻是，將半導體的2D結構，研發優化出了3D結構，也就是FinFET。
從1960年到2010年左右，基本的平面(2D)MOSFET結構一直保持不變，直到進一步增加晶體管密度和降低器件功耗變得不可能。
胡正明在加州大學伯克利分校的實驗室早在1995年就看到了這一點。
FinFET作爲第一個3DMOSFET，將扁平而寬的晶體管結構變爲高而窄的晶體管結構。好處是在更小的佔地面積內獲得更好的性能，就像在擁擠的城市中多層建築相對於單層建築的優勢一樣。
FinFET也就是所謂的薄體（thin-body）MOSFET，這一概念繼續指導新設備的開發。
它源於這樣一種認識，即電流不會通過硅表面幾納米內的晶體管泄漏，因爲那裏的表面電勢受到柵極電壓的良好控制。
FinFET牢記這種薄體概念。該器件的主體是垂直的硅鰭片，被氧化物絕緣體和柵極金屬覆蓋，在強柵極控制範圍之外沒有留下任何硅。FinFET將漏電流降低了幾個數量級，並降低了晶體管工作電壓。它還指出了進一步改進的路徑：進一步降低厚度。
而電流不會通過硅表面幾納米內的晶體管泄漏，因爲那裏的表面電勢受到柵極電壓的良好控制，這一概念，正是MOSFET進行互連建模在實驗室進行復現後發現的。
周新不可能告訴胡正明，這是你自己發現的。
不過由於周新對於胡正明最重要的論文，都做過精讀，對於當時是如何思考，有自己的分析。
這些分析和二十年後的老胡交流過程中，也獲得了對方的認可。
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