第一二零三章 500nm光刻機研製成功
雖然在10月底就接到好消息，研發工程已經到了尾聲，但真正接到確鑿的消息，孫健還是很高興的，當天就乘飛機來到京城，向全體研發人員表示祝賀，當場宣佈公司拿出300萬元，按照貢獻大小，獎勵全體研發人員。
從6英寸晶圓、800nm製程工藝光刻機到8英寸晶圓、500nm製程工藝光刻機是一道大坎，bsec投資了8億元，耗費了18個月！
一旦跨過，bse、180nm製程工藝光刻機就相對容易一些。
因爲鄧國輝院士領導的光刻機光源研究所經過三年多的努力，7月14日，研製成功全球第一臺浸沒式193nm光刻機試驗機，波長達到134nm，突破了193nm波長極限的世界性難題，因所用的光學系統是委託carlzeissag生產的，沒有完全自主的知識產權，祕而不宣，等bsec光刻機光學研究所研製的光學系統達到要求後，再申請公司發明專利。
從193nm乾式光刻機到193nm浸沒式光刻機，突破了193nm波長極限的世界性難題，是一種劃時代的光刻技術。
前世90年代末，隨着摩爾定律的繼續演進，光刻機制程工藝從130nm進入90nm，晶圓尺寸也從8英寸升級到12英寸，但大家都沒想到，半導體產業在193nm波長上卡了將近20年！
大家發現，乾式193nm光刻機的極限製程工藝是65nm，再往下就很難實現了，如何突破65nm，跨入40nm製程工藝，成爲阻擋在所有半導體廠商面前的攔路虎。
g兩大光刻機巨頭如今正在研製130nm製程工藝的光刻機，上面還有90nm、65nm製程工藝的光刻機，還沒有碰到65nm製程工藝的極限！
bsec所採用的光刻機光源是gmarf準分子激光器，爲了掌握其核心技術，鄧國輝和錢富強率領光刻機光源研究技術人員丟掉對方的圖紙，重新研製了一遍，bsec光刻機公司如今能生產滿足1um製程工藝、800nm製程工藝和500nm製程工藝的193nmarf準分子激光器，按照雙方當初簽訂的公司發明專利轉讓協定，這些準分子激光器只能在bsec光刻機上使用。
1995年7月，錢富強晉升研究員，擔任光刻機光源研究所所長。
鄧國輝院長主持bsec光刻機研究院的全盤工作。
bsec能生產8英寸晶圓、500nm製程工藝的光刻機，雖然離g製程工藝的光刻機，還差350nm、250nm和180nm三道關口，但這一步跨出去是多麼的不易？
不親自參與其中，不知道研發過程中的艱難！
bse製程工藝的半導體生產線只是時間問題。
從1996年6月開始，bsec投資8億元用於研發8英寸晶圓和500nm製程工藝光刻機，一晃就過去了18個月，由鄧國輝、歐陽明、陳偉長和夏季常等四位院士主持的這項系統性的研發工程終成正果。
光刻機自動化研究所早就準備好了滿足500nm製程工藝光刻機所需要的磁懸浮式雙工作臺系統，這套系統是gca1995年在bsec提供的公司發明專利基礎上研發成功的，專利屬於bsec。
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