第一三八一章 同意出口
自從GcA和尼康公司研發的90nm製程工藝的光刻機先後量產，財大氣粗的INtEL、Ibm、tI、Amd和hp近水樓臺先得月，先後定購了一條價值25億美元的90nm製程工藝的半導體生產線。
一條180nm製程工藝的半導體生產線從22億美元降到20億美元，bSEc如今也能量產250nm製程工藝的光刻機，孫健將40臺250nm製程工藝光刻機的生產訂單交給bSEc。
這條180nm製程工藝的半導體生產線規劃安裝20臺GcA生產的180nm製程工藝的光刻機和bSEc生產的40臺250nm製程工藝的光刻機，既能節約成本，光刻效果也不受影響。
bSEc和GcA都是孫健控股的公司，作爲兩家公司的法人兼董事長，手掌手背都是肉。
去年11月15日，中美兩國簽訂了中國加入世貿組織的雙邊協定，中國去年的Gdp達到1.19萬億美元，只佔美國Gdp的12.1%、日本的24.9%，按照全球經濟總量的排名來看，中國位居全球第七，排在意大利之後。
美國的頭號對手還是全球經濟老二的日本，繼續打壓日本的半導體產業。
雖然鯤鵬軟件集團在全球軟件市場佔據20%的市場份額，但還沒有對美國軟件產業造成實際性的威脅，美國商務部也不容許微軟公司壟斷美國軟件市場。
美國曙光投資公司控股的GcA成了同尼康半導體公司並駕齊驅的光刻機龍頭企業，研發的90nm製程工藝光刻機已經量產，但在65nm製程工藝上都遇到了無法克服的困難。
尼康光刻機研究院和GcA光刻機研究院採用ArF193nm光源，研發一年多，毫無進展。
業界普遍認爲193nm光刻無法延伸到65nm製程工藝，而157nm將成爲主流光源技術，但157nm光刻技術同樣遭遇到了來自光刻機透鏡的巨大挑戰。
業界對下一代光刻機的發展提出了兩種路線，一是以尼康和佳能等日本光刻機半導體企業，主張開發波長更低的157nm的F2準分子激光做爲光源；二是GcA和英特爾發起建立了EUVLLc聯盟，採用極紫外光源來提供波長更短的光源。
EUVLLc聯盟中除了GcA、英特爾和牽頭的美國能源部以外，還有摩托羅拉、Amd、Ibm，以及能源部下屬三大國家實驗室：勞倫斯利弗莫爾國家實驗室、桑迪亞國家實驗室和勞倫斯伯克利實驗室。
GcA光刻機半導體研究院院長兼任光刻機光源研究所所長湯普森院士從1993年7月開始研發EUV，GcA前後投資了1.5億美元，也沒有取得成功，1997年7月自動放棄了研究。
1997年10月，湯普森院士出面邀請英特爾和美國能源部共同開發EUV。
前世，英特爾邀請尼康和ASmL加入EUVLLc聯盟，但美國政府反對尼康加入，ASmL做出多重承諾後纔得到這個千載難遇的機會，資金到位，技術入場，人才雲集，EUVLLc聯盟也花了近20年的時間，第一臺可量產的ASmLEUV樣機才正式發佈。
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